РЕФЕРАТИВНА БАЗА ДАНИХ "УКРАЇНІКА НАУКОВА"
Abstract database «Ukrainica Scientific»
НОВІ
НАДХОДЖЕННЯ
ПОШУК
РУБРИКАТОР

Бази даних

Реферативна база даних - результати пошуку

Книжкові видання та компакт-диски
Журнали та продовжувані видання
Автореферати дисертацій
Реферативна база даних
Наукова періодика України
Тематичний навігатор
Авторитетний файл імен осіб
Вид пошуку
Пошуковий запит: (<.>ID=REF-0000518173<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 1

Artamonov V. V. 
Study of subsurface Si layers with a latent SiO2 layer / V. V. Artamonov, M. Ya. Valakh, N. I. Klyui, V. P. Melnik, B. N. Romanyuk, V. G. Popov, V. A. Yukhimchuk // Functional Materials. - 1998. - 5, № 4. - С. 551-554. - Бібліогр.: 10 назв. - англ.

Досліджено вплив домішкових атомів вуглецю на зародження та ріст SiO2-фази при низькодозовій (від 1 до 2) . 1017 см-2 імплантації іонів O+ в Si. Показано, що із зміною енергії імплантованих іонів C+ змінюється профіль розподілу атомів кисню. Досліджено розподіл механічних напружень в приповерхневому шарі Si після імплантації іонів O+ і C+ та наступного термічного відпалу. Показано, що двостадійна імплантація іонів O+ при загальній дозі 2 . 1017 см-2 призводить до утворення майже стехіометричного шару SiO2.


Індекс рубрикатора НБУВ: В379.256

Рубрики:
 Дифузія і самодифузія в напівпровідниках 

Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ 
Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)
  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
 
Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського
Відділ наукового формування національних реферативних ресурсів
Інститут проблем реєстрації інформації НАН України

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського