На основі експериментальних даних про спектральний розподіл фоточутливості в діапазоні 200 - 400 нм розглянуто природу селективної фотопровідності (ФП) рідкоземельних (РЗ) галієвих гранатів A₃B₂Ga₃O₁₂ (де A = A³⁺ - РЗ йон, B - Ga або Sc) у зв'язку з фотостимульованим переносом заряду між лігандом і матричним РЗ йоном. Селективна ФП в f-смугах поглинання йонів A³⁺ в діапазоні 200 - 400 нм відтворює всі особливості спектрів поглинання і свідчить, що фотогенерація носіїв заряду протікає за участі збуджених порожніх 4f-оболонок йонів A³⁺.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"