Dovgoshey N. The ZnGa2S4 monolayer and next layers formation on NaCl substrate / N. Dovgoshey, V. Zhikharev, N. Popovich, L. Trachuk // Functional Materials. - 1999. - 6, № 3. - С. 446-447. - Бібліогр.: 3 назв. - англ.Розрахунки, виконані напівемпіричним методом МО - ЛКАО, показали, що осадження Zn більш імовірне у міжвузлях на відстані 1,5 ангстрем від поверхні підкладки при енергії зв'язку 0,3 еВ, і його положення енергетично нестабільне. Атоми Ga осаджуються у міжвузлях (r0 = 0,5 ангстрем, E0 = -2,3 еВ), а також у вузлах гратки NaCl і центрах зв'язку (r0 = 1,5 ангстрем, E0 = -1,8 еВ). Атоми S захоплюються вузлами кристалічної гратки при енергії зв`язку 5,0 - 5,5 еВ на відстані 2,5 ангстрем. Крім того, можливе їх проникнення у поверхневий моношар у міжвузлях на відстані r0 = 4 ангстрем. Індекс рубрикатора НБУВ: Г582
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ
![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|