Розрахунки, виконані напівемпіричним методом МО - ЛКАО, показали, що осадження Zn більш імовірне у міжвузлях на відстані 1,5 ангстрем від поверхні підкладки при енергії зв'язку 0,3 еВ, і його положення енергетично нестабільне. Атоми Ga осаджуються у міжвузлях (r₀ = 0,5 ангстрем, E₀ = -2,3 еВ), а також у вузлах гратки NaCl і центрах зв'язку (r₀ = 1,5 ангстрем, E₀ = -1,8 еВ). Атоми S захоплюються вузлами кристалічної гратки при енергії зв`язку 5,0 - 5,5 еВ на відстані 2,5 ангстрем. Крім того, можливе їх проникнення у поверхневий моношар у міжвузлях на відстані r₀ = 4 ангстрем.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"