Ryabchuk A. I. Treatment effect of atomic hydrogen on doped silicon single crystals / A. I. Ryabchuk, V. P. Shapovalov, A. R. Koshman // Functional Materials. - 1999. - 6, № 4. - С. 731-733. - Бібліогр.: 14 назв. - англ.Досліджено вплив дії атомарного водню (H0) на кристали n-Si і p-Si<В> орієнтацій (111) і (100). Показано, що дія атомарного водню сприяє зниженню концентрації легуючої домішки в n-Si і p-Si<В>, що виявляється у збільшенні опору Si і зміненні роботи виходу електронів із Si. Ефект, який спостерігається, пов'язано з утворенням електрично нейтральних комплексів домішка-водень. Запропоновано фізичний механізм, який пояснює результати досліджень. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222 + В379.271
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ
![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|