Вивчено еволюцію смуги фотолюмінесценції у гетероструктурах GaAs/AIGaAs під дією акустичної накачки. Зазначено, що зміни інтегрованого у часі спектра фотолюмінесценції подібні змінам, спостереженим у ході нагріву зразка. Під час реєстрації спектра на частоті накачки виявлено лінію, обумовлену рекомбінацією електронно-діркової плазми з високою густиною електронів. Обговорено явище виникнення стимульованого випромінювання з проявом структури мод резонатора та червоним зсувом у разі збільшення амплітуди накачки.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"