Експериментально досліджено вплив шару <$E roman SiO sub 2> за периметром контакту та режимів попереднього лазерного опромінення на деградацію електрофізичних характеристик і параметрів безкорпусних тонкоплівкових структур Al - <$E n> - Si з бар'єром Шотткі. Показано, що за інтенсивності опромінення <$E I sub 0~<<~100~roman {кВт "/" см} sup 2> забезпечується більш тривала стабільність висоти потенційного бар'єра <$E phi sub b> і коефіцієнта ідеальності <$E n> опромінених діодів Шотткі, сформованих на вільній поверхні кремнію, в порівнянні з неопроміненими та структурами, сформованими у вікнах <$E roman SiO sub 2>.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"