Rogacheva E. I. CdS effect on CuInSe2 structure and properties / E. I. Rogacheva, T. V. Tavrina, S. N. Galkin // Functional Materials. - 2001. - 8, № 4. - С. 635-641. - Бібліогр.: 25 назв. - англ.Проведено мікроструктурні та рентгенодифракційні дослідження напівпровідникових сплавів <$E ( roman CuInSe sub 2 ) sup {1 - x}~-~( roman CdS ) sub 2x~(0~symbol Г~х~symbol Г~0,07)> у сполученні з вимірюванням їх мікротвердості та електрофізичних властивостей. Визначено, що гранична розчинність CdS в CuInSe2 після різних термообробок відповідає <$E (0,025~symbol С~0,005~symbol Г~х~symbol Г~0,04~symbol С~0,005)> залежно від умов термообробки. В інтервалі <$E 0,005~symbol Г~х~symbol Г~0,01> виявлено аномалії концентраційних залежностей мікротвердості та ширини дифракційних ліній, пов'язаних з колективною взаємодією пружних полів окремих домішкових атомів і з можливими процесами впорядкування. Показано, що введення CdS в CuInSe2 спричиняє інверсію типу провідності з р на n. Індекс рубрикатора НБУВ: Г576.45
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|