Установлено, що у кристалах GaAs внаслідок введення атомів міді спостережено зміну інтенсивності смуг люмінесценції, індукованих дефектами EL2. Показано, що цей ефект у залежності від температури вимірювань має пороговий характер. Величина ефекту визначається вакансійним складом кристалів. Розглянуто механізм зміни ефективності випромінювання через центри EL2, заснований на переході останніх у мета-стабільний стан <$E roman EL2 sup *> під впливом комплексів CuGaVAS.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"