В рамках моделі електрон-деформаційного зв'язку розраховано енергію основного стану електрона, локалізованого на дислокаційній стінці, в гетероструктурі ZnSe/GaAs (100) залежно від степеня заповнення зони провідності для різних відстаней <$E d> між дислокаціями невідповідності. Показано, що для <$E d~symbol У~2 000~roman A back 35 up 30 {symbol Р}> енергія основного локалізованого стану електрона в періодичних електрон-деформаційних потенціальних ямах типу Кроніга-Пені практично є такою самою, як і в періодичних електрон-деформаційних потенціальних ямах з плавними межами. Встановлено, що в гетероструктурах із більшим неузгодженням параметрів граток на гетеромежі вплив електронної підсистеми, зокрема, степеня заповнення зони провідності, проявляється сильніше, ніж за малих неузгоджень <$E ( DELTA a "/" a~symbol Г~1~%)>.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"