Досліджено електрофізичні, оптичні та люмінесцентні властивості монокристалів селеніду цинку, легованих індієм. Установлено присутність електрично активних донорних центрів <$E roman In sub Zn sup +>, що визначають домішкове поглинання і електропровідність кристалів. Показано, що компенсація провідності в кристалах ZnSe:In здійснюється вакансіями катіонів. Донори <$E roman In sub Zn sup +> та вакансії катіонів створюють асоціативні дефекти, що зумовлюють довгохвильову люмінесценцію ZnSe:In. Висока провідність кристалів (близько <$E 5~roman {Ом sup -1~cdot~см} sup -1>) досягається в результаті відпалу ZnSe:In у розплаві цинку, що призводить до екстракції вакансій катіонів.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"