Шляхом лазерного легування ізовалентною домішкою індію створено p - n-гетеропереходи, які випромінюють світло у жовто-зеленій області спектра з максимумом інтенсивності 570 нм і напівшириною лінії 28 нм. За добрих яскравісних характеристик струм, який проходив крізь гетероструктуру, не перевищував 4,5 мА. Особливості структури, вольт-амперних і люмінесцентних характеристик гетеропереходу свідчать про істотний внесок атермічних механізмів взаємодії лазерного випромінювання з фосфідом галію.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222 + В379.271.21

Рубрики:

Дефекти напівпровідників

р-n переходи

Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"