Nadtochiy V. Microplasticity and electrical properties of subsurface layers of diamond-like semiconductors strained at low temperatures / V. Nadtochiy, N. Nechvolod, N. Golodenko // Functional Materials. - 2003. - 10, № 4. - С. 702-706. - Бібліогр.: 11 назв. - англ.Зазначено, що дослідження тонкого спектра залежностей <$E sigma~-~epsilon> та <$E epsilon~-~t> дозволили виявити мікропластичну деформацію напівпровідників Si, Ge, GaAs та InAs за знижених температур за допомогою методів оптичної й електронної мікроскопії виявлено міграцію точкових дефектів і зародження дислокацій у приповерхневих шарах Ge, циклічно деформованого в ході одночасного ультразвукового опромінення за кімнатної температури. Виявлено, що виникаючі деформаційні дефекти типу дислокацій і кластерів зменшують тривалість життя неосновних носіїв заряду. Видалення поверхневого дефектного шару обумовлює відновлення цього параметра. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.2
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ
Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|