Mussil V. V. On dynamics of photoinduced processes in three-layer Ag - PbI2-chalcogenide semiconductor systems / V. V. Mussil, Ye. T. Lemeshevskaya, V. V. Pilipenko, A. P. Ovcharenko // Functional Materials. - 2003. - 10, № 4. - С. 693-697. - Бібліогр.: 16 назв. - англ.Досліджено фотоіндуковані зміни оптичного пропускання у тришарових системах Ag/РЬI2/халькогенідний напівпровідник Ge - As(P) - S. Вивчено вплив хімічного складу напівпровідника й умов лазерного опромінення на фотоіндуковані процеси у системах. Показано, що оптичні спектри змінюються реверсивно, якщо послідовно опромінювати зразки світлом з області їх поглинання й області прозорості. Залежності зміни пропускання від часу проаналізовано з урахуванням фотоіндукованої дифузії срібла в PbI2 та халькогенідний напівпровідник, утворення та руйнування частинок металу в шарі Pbl2, процесів на межі PbI2-халькогенідний напівпровідник. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.24
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|