Проведено дослідження та порівняльний аналіз процесів <$E p~-~n> конверсії типу провідності під час іонно-променевого травлення (ІПТ) та відпалу анодного оксиду (ВАО) на ідентичних зразках вакансійно-легованого та легованого As <$E p~-~{roman Cd} sub x {roman Hg} sub 1-x roman Te> (<$E x~symbol Ы~0,2>). Конверсію типу провідності на значну глибину спостережено у вакансійно-легованому матеріалі як у випадку ІПТ, так і в разі ВАО, а у легованому As - тільки у разі ІПТ. Зазначено, що у всіх цих процесах конверсія обумовлена дифузією міжвузловинних атомів ртуті з відповідного джерела дифузії ртуті та рекомбінацією її з власними акцепторами - катіонними вакансіями (в першому випадку) або з утворенням донорних комплексів (у другому випадку). Показано, що у вакансійно-легованому <$E {roman Cd} sub x {roman Hg} sub 1-x roman Te> ефективні коефіцієнти дифузії міжвузловинних атомів ртуті, які визначають товщину конвертованого шару, в разі термічного відпалу у насиченій парі ртуті та ВАО за рівних температур однакові, і це свідчить про ідентичність джерела дифузії ртуті. Відсутність конверсії під час ВАО для легованого As <$E p~-~{roman Cd} sub x {roman Hg} sub 1-x roman Te> пояснюється недостатньою концентрацією Hg у джерелі, і це добре узгоджується з необхідною умовою для утворення донорних комплексів, як це має місце в разі ІПТ.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"