Vakulenko O. V. Porous silicon aging after etching in acids / O. V. Vakulenko, O. I. Dacenko // Functional Materials. - 2003. - 10, № 3. - С. 511-513. - Бібліогр.: 15 назв. - англ.Досліджено динаміку зміни відносного квантового виходу фотолюмінесценції зразків пористого кремнію за час їх збереження в атмосферному середовищі після короткочасної обробки у концентрованих кислотах HCl і HNO3. Зазначено, що інтенсивність люмінесценції протравленого зразка монотонно збільшується з часом, а швидкість наростання виходу на кілька порядків є більшою, ніж у непротравлених зразків. Виявлені ефекти пояснено окиснюванням кремнієвого кістяка пористого шару. Індекс рубрикатора НБУВ: Ж362.063 + В379.24
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ
![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|