Описано спробу розробки детальної тривимірної моделі Монте-Карло для високочутливого дозиметра на базі польового МОП-транзистора (MOSFET) із застосуванням коду MCNP 4C для визначення радіологічних характеристик. Для точного визначення відгуку транзистора під час дослідження було застосовано три прийоми: поглинену дозу для чутливого об'єму дозиметра розраховано безпосередньо за траєкторіями електронів; електронам приписано щонайменше 10 енергетичних ступенів у чутливому об'ємі; замість алгоритму індексації енергії, застосованого в MCNP за відсутності застережень, використано алгоритм індексації енергії типу ITS. Результати вказують, що розроблена модель дозволяє цілком задовільно розраховувати кутову залежність, поглинену дозу й енергетичну залежність для дозиметра, що витікає із зіставлення одержаних результатів з експериментальними та теоретичними значеннями.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"