Onoprienko A. A. Resistivity of non-doped and boron-doped magnetron sputtered carbon films / A. A. Onoprienko, V. V. Artamonov, I. B. Yanchuk // Functional materials. - 2002. - 9, № 3. - С. 540-544. - Бібліогр.: 14 назв. - англ.Досліджено електроопір нелегованих і легованих бором (2 ат. % бора) аморфних вуглецевих (a-C) плівок, нанесених за допомогою методу магнетронного розпилення на постійному струмі в інтервалі температур підкладки <$E T sub s~=~20~-~650~symbol Р>C. Нелеговані a-C плівки одержували розпиленням графіту, а леговані бором a-C плівки - розпиленням складної (графіт + сполука <$E roman {B sub 4 C}>) в аргоні за однакових умов. Опір a-C плівок виміряно в двох напрямках: паралельно (<$E rho sub ||>) та перпендикулярно (<$E rho sub {symbol <94>}>) підкладці. Структуру плівок вивчено за допомогою методів електронографії "на відбиття" та комбінаційного розсіювання світла. Легування бором не вплинуло на опір <$E rho sub {symbol <94>}> у всьому дослідженому інтервалі температур, але мало ефект на опір <$E rho sub ||>. В інтервалі температур 20 - 200 <$E symbol Р>C опір <$E rho sub || > не змінювався, а потім різко зменшувався і для <$E T sub s> ~ 400 <$E symbol Р>C досягав величини, яку спостережено у нелегованих a-C плівках. Легування бором не змінило, в цілому, механізм формування мікроструктури a-C плівок, але уповільнило процес зароджування кластерів графітоподібної G-фази в аморфній D-фазі в інтервалі 20 - 400 <$E symbol Р>C та сприяло зародженню графітової фази для <$E T sub s~>>~400~symbol Р>C. Індекс рубрикатора НБУВ: В372.6 + В377.12 + К663.525-18
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) ![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|