Досліджено проміжні фази між алмазними плівками (АП) та підкладками з W та Si за методом рентгенівської дифракції з використанням ковзних пучків і схеми <$E theta~-~ 2 theta >. Встановлено, що АП починають рости на підкладках із W за температур 1073 - 1173 К після утворення на їх поверхні стехіометричного шару карбіду WC завтовшки 0,08 мкм, а на Si після утворення твердого розчину вуглецю в кремнії завтовшки майже 0,6 мкм. Різниця коефіцієнтів температурного розширення алмазу та W спричиняє стиснення АП після їх охолодження. Стан стиснення АП після їх синтезу на Si відсутній тому, що їх коефіцієнти температурного розширення майже однакові.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"