За допомогою спектроскопії КРС досліджено механічні напруження в <$E {roman Si} sub {1-x} {roman Ge} sub x>-шарах, одержаних методами епітаксії та імплантації іонів <$E roman Ge sup +> у кремнієву підкладку. Показано, що легування під час росту <$E {roman Si} sub {1-x} {roman Ge} sub x>-шару атомами вуглецю призводить до часткової релаксації механічних напружень. Установлено, що приховані <$E {roman Si} sub {1-x} {roman Ge} sub x>-шари, одержані імплантацією іонів <$E roman Ge sup +> у кремнієву підкладку та наступним високотемпературним відпалом, є повністю напруженими.

• Валах Михайло Якович (1940–) (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"