Boyko B. T. Study of structure and electrical properties of doped ZnO films produced by reactive magnetron sputtering / B. T. Boyko, N. A. Kovtun, P. A. Panchekha, G. S. Khrypunov, A. I. Chernikov // Functional Materials. - 2001. - 8, № 4. - С. 653-658. - Бібліогр.: 8 назв. - англ.Досліджено структуру й електричні властивості прозорих шарів ZnO:In і ZnO:Al, одержаних методом високочастотного реактивного магнетронного розпилу. Запропоновано нову структурну модель матеріалів Zn3Me2<^>3+O6, яка дозволяє пояснити комплекс електричних параметрів, завдяки яким плівки ZnO:In та ZnO:Al є перспективними матеріалами широкозонних "вікон" у фотоелектричних перетворювачах. Індекс рубрикатора НБУВ: Г582
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) ![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|