Koshkin V. M. Thermodynamics of isovalent tellurium substitution for selenium in ZnSe semiconductor / V. M. Koshkin, A. Ya. Dulfan, V. D. Ryzhikov, L. P. Gal'chinetskii, N. G. Starzhinskiy // Functional Materials. - 2001. - 8, № 4. - С. 708-713. - Бібліогр.: 8 назв. - англ.Вивчено мікроскопічні механізми ізовалентного легування ZnSe телуром. Показано, що залежно від напрямку розрізу в потрійній системі, за яким здійснюється легування, за малих концентрацій телуру механізми розчинення є різними. У випадку легування за розрізом ZnSe - Te та наявності відхилень від стехіометрії у бік надлишку селену переважають подвійні комплекси Te-вакансія цинку. У разі легування за розрізом ZnSe - ZnTe переважають потрійні комплекси Te-вакансія Zn-Zn у міжвузловині. За сумірних концентрацій ZnSe і ZnTe механізм розчинення переходить до класичного заміщення без утворення комплексів. Індекс рубрикатора НБУВ: Г512.2
Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) ![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|