Вивчено фоторозрядні характеристики короноелектретів. Запропоновано просту модель релаксації фотопровідних короноелектретів. Ця модель заснована на припущенні про формування внутрішньої протиерс. Одержано вираз для геометричного параметра, що описує протиерс. На підставі експериментальних даних розраховано електропольові й товщинні залежності часу життя вільних носіїв заряду. Підтверджено, що у багатих структурними дефектами кристалах антрацену транспорт дірок обумовлений їх рухом уздовж небазисних крайових дислокацій.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"