За допомогою методів растрової електронної мікроскопії й оптичної металографії експериментально досліджено процеси формування та перерозподілу структурних дефектів у приконтактному шарі кремнію термічно невідпалених структур Al - n - Si внаслідок прояву термопружних напруг під час імпульсного лазерного опромінення. Виявлено формування структурованого перехідного шару на межі метал - напівпровідник під час релаксації пружних напруг у металізації. Для пояснення особливостей поведінки систем дефектів на периметрі діодів Шотткі у разі опромінення структур через кремнієве оптичне вікно запропоновано фізичну модель впливу лазерного проміння на контакт метал - напівпровідник, яка враховує температурну залежність коефіцієнта поглинання випромінювання у напівпровіднику.

Індекс рубрикатора НБУВ: К209.1 + В379.271.51 + В379.227

Рубрики:

Вплив опромінювання на структуру і властивості металів і сплавів

Термоелектричні явища

Радіаційні ефекти в напівпровідниках

Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"