Вивчено вплив на теплоперенесення деяких поліатомних газів (H2O, CO2, C2H5OH), що мають високу теплопровідність і теплоємність, а також інертних газів (He, Ar), що традиційно використовуються під час вирощування кристалів. Показано, що визначальний вплив на теплоперенесення та на стійкість процесу росту чинить склад газової атмосфери в печі і стан поверхні кристала, що росте. Пари води й етанолу, які навмисно введені в атмосферу печі в невеликих кількостях, не погіршують характеристик кристала та значною мірою впливають на теплоперенесення. Введення гелію в атмосферу ростової камери призводить до найбільшого впливу на конвективне теплоперенесення у процесі росту кристала, змушуючи систему управління інтенсивно підвищувати температуру керуючого нагрівача для стримування масової швидкості (або діаметра кристала), що збільшується. Введення гелію в атмосферу печі представляється ефективним прийомом для підвищення теплової стійкості процесу росту.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"