У межах електрон-деформаційної моделі розкрито існування <$E n~-~n sup +> переходу в пружній області імплантованої кристалічної матриці GaAs(100) + Ar(Si). Показано, що зі зростанням ступеня заповнення зони провідності (<$E 0~symbol Г~n bar ~symbol Г~0,5>) перехід стає більш різким. У цьому разі площина, яка відповідає межі переходу, зі зростанням <$E n bar> зсувається до межі пружності.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"