Досліджено особливості утворення ізольованих дипольних центрів (ІДЦ) типу <$E roman {Eu sup 2+~-~V sub Cs}> ("домішка-катіонна вакансія") й агрегатних центрів (АЦ) фотолюмінесценції (ФЛ) у кристалах <$E roman CsBr:Eu sup 2+>, що обумовлюють ФЛ у спектральній області з максимумами за умов 435 - 450 нм і 490 - 520 нм. Установлено, що центри ФЛ з максимумами в разі 490 - 520 нм утворюються у вузькій області концентрацій <$E roman Eu sup 2+> (0,01 - 0,1 мол. %) за умови температур до 180 - 200 <$E symbpl Р>C. Припущено, що крім ІДЦ, що відповідають за ФЛ з максимумом у разі 440 нм, у кристалах <$E roman CsBr:Eu sup 2+> можуть спостерігатися декілька типів АЦ, зокрема, нанокристали сполук <$E roman CsEuBr sub 3>, <$E roman {Cs sub 4 EuBr} sub 6> і преципітати <$E roman EuBr sub 2>.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"