Експериментально та теоретично досліджено процес рекомбінації нерівноважних носіїв заряду, інжектованих у зразок n-Ge через проміжний дефектний шар. Дефекти структури введено циклічною деформацією стиском з одночасним ультразвуковим опроміненням зразка за температури 310 K. Розподіл дефектів за глибиною зразка вивчено за допомогою металографічного методу. Процес рекомбінації інжектованих носіїв досліджено за допомогою методу модуляції провідності в точковому контакті з поверхнею напівпровідника. На графіках залежності напруги спаду вимірювального імпульсу від часу затримки відносно імпульсу інжекції виявлено дві ділянки різної крутості, пов'язані з рекомбінацією надлишкових носіїв заряду у приповерхневому дефектному шарі й у товщі кристала. Довжина та крутість ділянок у разі малих термінів затримки збільшуються зі зростанням товщини дефектного шару та густини дефектів у ньому.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.27 + К235.22

Рубрики:

Електричні і магнітні властивості напівпровідників

Індій та його сплави

Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"