Voronkin E. F. Preparation of high-purity charge for growth of Cd1-xZnxTe crystals / E. F. Voronkin, L. V. Atroshchenko, S. N. Galkin, A. I. Lalayants, I. A. Rybalka, V. D. Ryzhikov // Functional Materials. - 2004. - 11, № 3. - С. 612-616. - Бібліогр.: 11 назв. - англ.Досліджено можливість одержання шихти високої чистоти для вирощування структурно досконалих кристалів Cd1-xZnxTe спектрометричної якості. Наведено результати вивчення процесів глибокої очистки Cd, Zn та Te у разі використання розробленої установки з обертовим контейнером з оптичного кварцу шляхом їх дистиляції та перекристалізації. Ця установка є багатофункціональною та дозволяє проводити дистиляцію, зонну очистку, перекристалізацію у горизонтальному (під невеликим кутом) та вертикальному напрямках. Показано, що горизонтальна зонна очистка є ефективною для більшості домішок, за винятком вуглецю. Для очистки Cd, Zn та Te від домішки вуглецю додатково використано вертикальний варіант зонної очистки, що дозволив знизити вміст вуглецю з <$E 10 sup -3> до ~<$E 10 sup -6> %. Індекс рубрикатора НБУВ: К337 + К390.1
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) ![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|