Досліджено умови кристалізації силікату гадолінію Gd2SiO5:Ce залежно від кристалографічного напрямку їх вирощування за різних теплових умов. Показано, що для розробленого кристалізаційного вузла оптимальним є розташування тигля щодо індуктора на 5 - 7 мм вище верхнього витка індуктора. Визначено параметри й режими росту, що дозволяють одержувати кристали діаметром до 50 мм і довжиною до 150 мм високої спектрометричної якості. Сцинтилятори <$E symbol ж~40~times~40~ roman мм sup 2>, виготовлені з цих кристалів, показали енергетичну роздільну здатність 10,4 % за опромінення <$E gamma>-випромінюванням <$E nothing sup 137 roman Cs> енергією 662 кеВ.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"