Функціонування тонкоплівкового фотоелектричного перетворювача (ФЕП) на базі диселеніду міді та індію (CIS) безпосередньо залежить від характеру взаємодії контактуючих у ньому базового шару CIS, буферного шару ZnSe та прозорої електропровідної плівки оксиду індію та олова (ІТО). Така взаємодія можлива як протягом електрохімічного осадження ZnSe з розчину на поверхню ІТО або CIS, так і під час вакуумних відпалів, які застосовуються у технологічному процесі виготовлення ФЕП з метою модифікації кристалічної структури CIS. На підставі досліджень методами електронної мікроскопії у режимах сканування поверхні та рентгенівського мікроаналізу, рентгенівської спектроскопії з дисперсією за енергіями, рентгенівської дифрактометрії та рентгенівської фотоелектронної спектроскопії дозволили виявлено, що під час вакуумних відпалів композитів скло/Mo/CIS/ZnSe буферний шар очищується від домішок, а внаслідок відпалів композитів скло/Mo/ITO/ZnSe він збагачується індієм і перетворюється у ZnInxSey.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"