Досліджено особливості розчинення монокристалів CdTe, Cd1-xZnxTe, CdxHg1-xTe та Te в розчинах системи HNO3 - HCl-лимонна кислота та побудовано поверхні однакових швидкостей розчинення (діаграми Гібса). Визначено лімітувальні стадії процесу розчинення та області розчинів, що можуть використовуватися для хімічного полірування цих напівпровідників. Показано, що збільшення вмісту ZnTe у складі твердих розчинів Cd1-xZnxTe призводить до лінійного збільшення швидкості розчинення.

Індекс рубрикатора НБУВ: З843.3-060.7

Рубрики:

Напівпровідникові матеріали та вироби

Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"