Зазначено, що актуальність нових розробок у галузі виготовлення плівок селеніду цинку (ZnSe) пояснюється перспективою їх використання в оптоелектроніці. Разом із тим, одержані на катоді в процесі електролізу водних розчинів плівки мають ряд особливостей і тому потребують детального аналізу структури, складу та властивостей. За допомогою методу просвічувальної електронної мікроскопії виявлено, що електроосаджені плівки селеніду цинку мають неоднорідні склад і структуру: у тіло дрібнодисперсних плівок із нанокристалів ZnSe кубічної модифікації типу цинкової обманки вкраплено кластери, що являли собою скупчення більш великих кристаликів Zn(OH)2. Поверхню таких плівок було вкрито тонким аморфним шаром із Se, SeO2 і OSe(OH)2. Згідно з дослідженнями електричних властивостей, електроосаджені плівки є напівпровідниками n-типу.

Індекс рубрикатора НБУВ: К663.054-18 + Г122.415

Рубрики:

Електрохімічні покриття металів. Гальванотехніка

Сполуки цинку з іншими елементами. Солі цинку

Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"