Claudio D. Crystallization process in thin stoichiometric GeSbTe films / D. Claudio, B. Laine, O. Licea, E. Morales-Sanchez, E. Prokhorov, G. Trapaga // Functional Materials. - 2005. - 12, № 4. - С. 669-673. - Бібліогр.: 13 назв. - англ.Кінетику процесів кристалізації у плівках Ge1Sb2Te4 і Ge2Sb2Te5 проаналізовано за допомогою вимірювань імпедансу з використанням наближення Бруггермана, яке бере до уваги наявність включень двох різних кристалічних фаз в аморфній матриці. Прогнози аналітичної моделі зіставлено з експериментальними результатами для Ge1Sb2Te4 і Ge2Sb2Te5. Запропонована аналітична модель дозволяє моделювати криві фазових перетворень, аналогічні одержаним експериментально для різних матеріалів. Індекс рубрикатора НБУВ: К202.6 + В379.2в641.0 + В375.14в641.0
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ
![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|