Змодельовано ансамбль точкових дефектів у нелегованих монокристалах і плівках телуриду кадмію. Розрахунки виконано для двох крайніх випадків - повної рівноваги та загартування дефектів. Одержано залежності концентрації власних дефектів, вільних носіїв заряду від технологічних параметрів вирощування, післяростового відпалу у парах кадмію та температури дослідження зразків. Визначено умови виготовлення монокристалів і плівок CdTe n і p-типу провідності. Порівняно одержані результати з експериментальними даними, що дозволило зробити висновок щодо обгрунтованості розглянутих моделей і запропонувати додаткові експерименти, які дозволяють зробити остаточний вибір між ними.

Індекс рубрикатора НБУВ: Ж619 + В379.222

Рубрики:

Одержання плівок

Дефекти напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Опанасюк Анатолій Сергійович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"