Kozhemyakin G. N. Growing of GaxIn1-xSb single crystals by Czochralski technique / G. N. Kozhemyakin, R. V. Ruban // Functional Materials. - 2005. - 12, № 4. - С. 762-764. - Бібліогр.: 5 назв. - англ.Визначено ефективні коефіцієнти розподілу Ga згідно з моделлю Острогорського - Мюллера з урахуванням експериментальних даних для складів кристалів GaxIn1-xSb із вмістом Ga до 0,2. Розроблено метод вирощування за Чохральським, вирощено монокристали GaxIn1-xSb діаметром до 18 мм. Вивчено вплив відпалу на утворення тріщин після розрізання монокристалів GaxIn1-xSb. Показано, що відпал кристалів за температури 170 <$E symbol Р>C протягом 10 - 12 годин зменшує кількість тріщин довжиною більш ніж 0,2 мм. Індекс рубрикатора НБУВ: К203.4 + В379.223 + В375.147
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ
Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|