Andryushchenko L. A. Investigation of scintillation characteristics for CsI:Tl and NaI:Tl crystals under different surface treatment conditions / L. A. Andryushchenko, A. Yu. Boyarintsev, B. V. Grinyov, I. V. Kilimchuk, A. M. Kudin, V. A. Tarasov, Yu. T. Vyday // Functional Materials. - 2006. - 13, № 3. - С. 534-537. - Бібліогр.: 10 назв. - англ.Досліджено вплив хіміко-механічних методів обробки поверхні кристалів (ПК) CsI:Tl і NaI:Tl на їх сцинтиляційні характеристики під час реєстрації малопроникаючого іонізуючого випромінювання. Показано, що застосування на етапі полірування ультрадисперсного порошку діоксиду кремнію, одержаного за допомогою золь-гель методу, та кремнійорганічних рідин забезпечує одержання приповерхневого шару кристалів CsI:Tl і NaI:Tl з мінімальною неоднорідністю світлового виходу. Після шліфування ПК стабільність сцинтиляційних характеристик у часі можна досягти за рахунок обробки поверхонь тетраетоксисиланом та олігогідридсилоксановою рідиною. Нанесення тонкоплівкового кремнійорганічного покриття на поверхню кристала CsI:Tl, яка обернена до радіоактивного джерела, покращило амплітудне розділення на 3 - 5 % за абсолютною величиною під час реєстрації рентгенівського випромінювання з E = 5,9 кеВ. Індекс рубрикатора НБУВ: В371.531
Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|