РЕФЕРАТИВНА БАЗА ДАНИХ "УКРАЇНІКА НАУКОВА"
Abstract database «Ukrainica Scientific»
НОВІ
НАДХОДЖЕННЯ
ПОШУК
РУБРИКАТОР

Бази даних

Реферативна база даних - результати пошуку

Книжкові видання та компакт-диски
Журнали та продовжувані видання
Автореферати дисертацій
Реферативна база даних
Наукова періодика України
Тематичний навігатор
Авторитетний файл імен осіб
Вид пошуку
Пошуковий запит: (<.>ID=REF-0000518916<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 1

Kotlyarevsky M. B. 
Photoluminescence and electrophysical properties of p-type ZnO layers implanted with V Group elements / M. B. Kotlyarevsky, I. V. Rogozin, O. V. Marakhovsky // Functional Materials. - 2005. - 12, № 4. - С. 616-621. - Бібліогр.: 19 назв. - англ.

Показано, що іонна імплантація миш'яку (азоту) у плівку оксиду цинку (As і N як акцепторна домішка у ZnO) може призводити до формування діркового типу провідності тільки у випадку відпалу в атмосфері радикалів кисню. Іонна імплантація та наступний відпал впливають не тільки на електричні властивості шарів <$E roman {ZnO:Ga:As} sup +> (<$E roman {ZnO:Ga:N} sup +>), але й на їх спектри фотолюмінесценції. Смуги люмінесценції, викликані впровадженням As і N, спостерігаються в ультрафіолетовій і видимій областях спектра.


Індекс рубрикатора НБУВ: В379.2 + Ж619

Рубрики:
 Фізика напівпровідників 
 Одержання плівок 

Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ 
Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)
  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
 
Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського
Відділ наукового формування національних реферативних ресурсів
Інститут проблем реєстрації інформації НАН України

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського