![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Книжкові видання та компакт-диски ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Журнали та продовжувані видання ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Автореферати дисертацій ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Реферативна база даних ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Наукова періодика України ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Тематичний навігатор ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Авторитетний файл імен осіб
|
Пошуковий запит: (<.>ID=REF-0000518918<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 1
|
Stakhira P. Photovoltaic properties of a heterostructure on the basis of porous silicon and polyaniline / P. Stakhira, E. Aksimentieva, Z. Mykytyuk, V. Cherpak // Functional Materials. - 2005. - 12, № 4. - С. 807-809. - Бібліогр.: 8 назв. - англ.Електричний контакт між поруватим кремнієм з n-типу провідністю і електропровідним полімером - поліаніліном з провідністю p-типу створено шляхом електрохімічної полімеризації аніліну на поверхні поруватого кремнію. Знайдено, що така гетероструктура демонструє випрямні I - V характеристики. У процесі освітлювання спостережено значне підвищення струму у випадку зворотного зміщення. Фоточутливість структури переважно визначається двома бар'єрами: інтерфазою полімер-поруватий кремній і поруватий кремній-монокристалічний кремній. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.5
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ
![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|
|
|