Розглянуто можливість одержання відрелаксованих SiGe шарів на кремнієвій підкладці, що градієнтно in situ леговані вуглецем у процесі епітаксії. Використовуючи спектроскопію комбінаційного розсіювання світла (КРС) та атомну силову мікроскопію, досліджено властивості вихідних зразків і зразків після термічних обробок у діапазоні температур 600 - 1 000 <$E symbol Р>C. Із спектрів КРС оцінено ступінь пластичної релаксації у вихідному <$E {roman Si} sub 0,7-y roman Ge sub 0,3 {roman C} sub y> (50 %) і <$E {roman Si} sub 0,9-y roman Ge sub 0,1 {roman C} sub y> (0 %) шарах. Установлено, що у процесах відпалів релаксація напружень відбувається не однаково по всьому об'єму, а пошарово. В обох типах <$E {roman Si} sub 1-x-y {roman Ge} sub x {roman C} sub y> шарів на їх інтерфейсах з Si підкладками відбувається сегрегація вуглецю.

Індекс рубрикатора НБУВ: К235.230.26

Рубрики:

Тонкі шари (плівки) германію та його сплавів

Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Валах Михайло Якович (1940–) (фізико-математичні науки)
• Джаган Володимир Миколайович (фізико-математичні науки)
• Литвин Оксана Степанівна (фізико-математичні науки)
• Попов Всеволод Геннадійович (фізико-математичні науки)
• Попов Валентин Георгійович (фізико-математичні науки)
• Юхимчук Володимир Олександрович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"