Вивчено поведінку внутрішнього тертя <$E delta> та електричного опору монокристалів кремнію з низькою щільністю дислокацій (10 - 100 <$E roman см sup -2>) у процесі бомбардування <$E alpha>-частками. Виявлено ефект зміцнення та зміни прямого гістерезису на зворотній на амплітудній залежності внутрішнього тертя у разі збільшення потужності дози <$E alpha>-опромінювання. Це пояснено блокуванням заряджених дислокацій вакансіями радіаційного походження та зонами розшарування заряду, які формуються у результаті вторинного інфрачервоного опромінювання.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"