Зазначено, що напівпровідникові сполуки мають на даний час і збережуть у майбутньому першорядне значення у житті людства. Вже досягнуто відносно високого рівня розвитку їх виробництва. GaAs зберігає лідируюче положення у галузях оптоелектроніки та високочастотної мікроелектроніки, безперервний розвиток яких буде продовжуватися. Необхідно істотно збільшити вихід монокристалів InP, GaSb, CdTe і ZnO. Для всіх цих сполук зростає значення вирощування з розплавів за допомогою методу твердіння у вертикальному температурному градієнті. Високі темпи розвитку очікуються для GaN і AlN. Відповідно, оволодіння управлінням фазовими переходами газ - тверде тіло та розчин/розплав - тверде тіло на високому технологічному рівні є абсолютно необхідним. Незважаючи на значні зусилля протягом останніх десяти років, у процесі вирощування з розплаву також існують деякі принципові утруднення, які треба подолати, наприклад, усунення структурування розплаву, пригнічення конвективних збурень, регулювання стехіометрії in situ, мінімізація осадження, пригнічення копіювання дислокацій, запобігання двійникуванню та створення систем управління процесами вирощування на базі моделей. Надано огляд можливих заходів, які розробляються в Інституті росту кристалів (Берлін) для досягнення згаданих цілей.

Індекс рубрикатора НБУВ: В375.14

Рубрики:

Твердіння. Кристалізація. Ріст кристалів

Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"