Запропоновано новий метод синтезу тонких заряджених діелектричних плівок кремнезему з пористою структурою на поверхні кремнію. Досліджено склад плівок і зарядовий стан одержаної системи діелектрик - напівпровідник. Оцінено товщину та ступінь пористості синтезованих плівок. Показано, що структура плівок є близькою до структури аерогелю кремнезему. Запропоновано застосування таких плівок у напівпровідниковій мікроелектроніці, зокрема, під час створення сонячних елементів і сенсорів.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"