Визначено час температурної інерції системи нагрівач - тигель - кристал (елементів теплового вузла печі) у процесі вирощування крупногабаритних монокристалів CsI(Na) на запалі із розплаву постійного об'єму. Встановлено, що на стадії радіального росту зливка час стабілізації температури у разі її зміни на донному нагрівачі в 1,3 рази є коротшим, ніж від бічного нагрівача. За аксіального росту кристала різниця у часі скорочується, потім дорівнює нулю за висоти циліндричної частини <$E symbol Ы~50> мм. У разі подальшого збільшення висоти кристала ситуація змінюється на протилежну.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"