Goriletsky V. I. Thermal lag of the growth furnace heating assembly at CsI(Na) crystal growing from constant melt volume on a seed / V. I. Goriletsky, V. V. Vasilyev, O. Ts. Sidletskiy, M. M. Tymoshenko, V. I. Sumin // Functional Materials. - 2007. - 14, № 4. - С. 541-545. - Бібліогр.: 10 назв. - англ.Визначено час температурної інерції системи нагрівач - тигель - кристал (елементів теплового вузла печі) у процесі вирощування крупногабаритних монокристалів CsI(Na) на запалі із розплаву постійного об'єму. Встановлено, що на стадії радіального росту зливка час стабілізації температури у разі її зміни на донному нагрівачі в 1,3 рази є коротшим, ніж від бічного нагрівача. За аксіального росту кристала різниця у часі скорочується, потім дорівнює нулю за висоти циліндричної частини <$E symbol Ы~50> мм. У разі подальшого збільшення висоти кристала ситуація змінюється на протилежну. Індекс рубрикатора НБУВ: В375.147
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ
Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|