Досліджено кристалізацію аморфних плівок халькогенідів галію, індію та стибію (Sb2S3, In2Se3, Ga2Te3 і Sb2Te3) з метою з'ясування характеру їх кристалізації та виявлення умов, що сприяють росту кристалів із вигнутою кристалічною граткою. Встановлено, що вигин кристалічної гратки кристалів, що утворюються у процесі кристалізації аморфних плівок у разі їх нагрівання електронним променем безпосередньо у колоні електронного мікроскопа, спостережено у кристалах із орторомбічною та гексагональною гратками (Sb2S3 і Sb2Te3). Абсолютні значення вигину є більшими у кристалах із гексагональною граткою, де вони досягають 160 град/мкм. Кристали з вигнутою граткою виникають переважно за швидкого нагрівання аморфної плівки, коли швидкість росту кристалів у площині плівки <$E symbol У~1> мкм/с. Вигин гратки кристалів збільшується зі зменшенням товщини аморфної плівки. За повільного нагрівання плівок Sb2S3 електронним променем виявлено, що спочатку у приповерхневому шарі плівки виникають дуже тонкі кристали з невигнутою граткою; згинання їх кристалічної гратки відбувається у процесі збільшення товщини кристалів.

• Багмут Олександр Григорович (1949–) (фізико-математичні науки)
• Косевич Вадим Маркович (1931–) (технічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"