Досліджено зміну характеристик краєвої фотолюмінесценції монокристалів сильно компенсованого нелегованого арсеніду галію під впливом електричного поля (ЕП). Встановлено, що при температурі рідкого азоту у даному матеріалі має місце зниження інтенсивності екситонного випромінювання при аномально низьких, порівняно з некомпенсованим матеріалом, значеннях напруженості поля. Показано, що одержаний результат неможливо пояснити відомими механізмами розпаду екситонних станів у ЕП. Запропоновано новий механізм впливу ЕП на зниження інтенсивності екситонної фотолюмінесценції, обумовлений структурними особливостями GaAs, що пов'язані з його зарядовою компенсацією.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"