За допомогою методу комп'ютерного моделювання досліджено залежності часу життя нерівноважних електронів від концентрації елементарних об'ємних точкових дефектів і різноманітних комплексів об'ємних точкових дефектів, які можуть бути присутніми в n<^>+-p-p<^>+ діодних структурах на основі кристалів кремнію p-типу провідності з питомим опором 10 Ом <$E cdot> см, які вирощуються з використанням методу Чохральського та легуються бором. Ряд одержаних результатів узгоджується з відомими експериментальними даними щодо впливу сонячного випромінювання та стаціонарного магнітного поля на ефективність роботи кремнієвих фотоелектричних перетворювачів (Si-ФЕП) із діодними структурами розглянутого та подібного типу. Загалом, результати цієї роботи забезпечують додаткову можливість прогнозування особливостей еволюції електронних, а тому і функціональних параметрів, не тільки Si-ФЕП, але й інших приладів на базі таких діодних структур, що дозволить найбільш ефективно й економічно вигідно шукати шляхи оптимізації їх конструктивно-технологічного рішення, а також оцінювати рівень їх надійності та довговічності.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.26

Рубрики:

Вплив дефектів на електропровідність

Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Хрипунов Геннадій Семенович (1963–) (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"