The contribution of the real (preliminary chemically etched) (110) surface of n-Ge into electroreflectance effect (energy range 1,9 - 2,6 eV) basing on polarization anisotropy of electrooptical effect has been separated under assumption that the surface electroreflectance component is isotropic while the bulk component of electroreflectance is anisotropic with respect to the light polarization vector orientation. The influence of the surface state on the anisotropic electroreflectance spectra, form changes of the subsurface potential barrier and internal mechanical stresses after mechanical polishing have been considered. Electron parameters of the n-Ge(110) subsurface layer are determined.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.225 + В379.271

Рубрики:

Поверхневі явища в напівпровідниках

Електричні властивості

Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Власенко Олександр Іванович (фізико-математичні науки)
• Генцарь Петро Олексійович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"