За допомогою методу числового моделювання складного теплообміну досліджено вплив коефіцієнтів поглинання кристала і розплаву на процес вирощування великогабаритних кристалів галогенідів лужних металів. Розроблена модель враховує радіаційно-кондуктивний теплообмін у кристалі та розплаві в "сірому" наближенні з дифузним відбиттям від границь. У розплаві і газовій атмосфері враховується конвективний теплообмін. Показано, що зміна умов радіаційно-кондуктивного теплообміну значно впливає на основні технологічні параметри процесу вирощування. Розроблена модель дозволяє пояснити поліпшення стабільності теплових умов вирощування великогабаритних кристалів при збільшенні коефіцієнта поглинання в інфрачервоній області спектра.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"