Представлено результати досліджень термохімічного травлення поверхні сапфіру у газовому середовищі, що містить CO та H2. Встановлено залежності швидкості травлення від температури, складу відновлювального середовища та кристалографічної орієнтації поверхні. Визначено умови неселективного травлення поверхні сапфіру (температура, склад середовища). Показано, що за температур вище ніж 1750 <$E symbol Р>C та швидкості термохімічного травлення сапфіру більше 10 мкм/год можливе повне видалення порушеного механічною обробкою поверхневого шару сапфіру з одночасним зниженням шорсткості поверхні до рівня <$E R sub a~<<~0,5> мкм.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"