Досліджено фотовольтаїчний ефект в ізотипному гетеропереході з дірковою провідністю, утвореному плівками нанокристалічного p-21R-SiC, осадженими на монокристалічні підкладинки з p-Si (гетероперехід p-SiC/p-Si). Плівки одержано за допомогою методу прямого іонного осадження. Особливості вольтамперних і фотоелектричних характеристик гетероструктури p-SiC/p-Si пояснено впливом потенційних бар'єрів, зумовлених розривами зон у контактній області, на міграцію носіїв заряду через гетероперехід.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.4

Рубрики:

Фотоелектричні явища

Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Козловський Анатолій Антонович (фізико-математичні науки)
• Семенов Олександр Володимирович (технічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"